معاون اجرایی، جونگ شیک یون، پیرو موفقیتی که سامسونگ در سال ۲۰۱۵ با تولید انبوه تراشههای مبتنی بر تکنولوژی FinFET کسب کرد گفته است:
تولید انبوه سیستم روی تراشه که از تکنولوژی ۱۰ نانومتری FinFET استفاده میکند نشانگر قدرت و پیشگام بودن ما در تکنولوژی ساخت تراشههای پیشرفته است.
وی خاطرنشان شد که کمپانی سامسونگ فعالیت خود را در این زمینه ادامه خواهد داد.
تراشه جدید ۱۰ نانومتری سامسونگ از معماری پیشرفته سه بعدی ترانزیستورها استفاده میکند که علاوه بر آن، در مرحله تولید و طراحی نیز نسبت به تراشههای ۱۴ نانومتری از برتری محسوسی برخوردار خواهد بود.
کمپانی کرهای در مورد این تراشهها گفته است که میتوانند میزان استفاده از فضا را ۳۰ درصد بهبود داده و ۲۷ درصد عملکرد بهتری داشته باشند و حتی میزان مصرف انرژی را ۴۰ درصد کاهش دهند. سامسونگ همچنین گفته است که نسل دوم پردازندههای ۱۰ نانومتری با عملکرد بهینه شده قرار است از نیمه دوم سال آینده میلادی به مرحله تولید انبوه برسد. همچنین گفته شده دستگاههایی که قرار است از سیستم روی تراشههای جدید استفاده کنند از اوایل سال آینده به بازار عرضه خواهند شد.