طبق شواهد جایگزین DRAM هزار برابر سریع تر از آن است !

شواهد جدیدی وجود دارد مبنی بر این که تغییر فاز حافظه می تواند جانشین مناسبی برای DRAM که امروز استفاده می کنیم باشد. پروژه تحقیقی که توسط دانشگاه استنفورد در حال اجرا است توصیف کرده فناوری می تواند حافظه را طوری مجهز کند که ۱۰۰۰ برابر سریع تر از محصول فعلی باشد.
تغییر فاز حافظه از موادی بهره می برد که می توانند در دو حالت مجزا قرار بگیرند؛ حالت بی شکل بدون هیچ گونه ساختار مشخص، و حالت متشکل با ساختار منظم و محکم. طبق گزارش اکستریم تک، تحقیقات در ارتباط با کاربرد تغییر فاز حافظه امیدوار کننده است اما هم چنان سوالاتی درباره قابلیت فناوری برای مقیاس گذاری وجود دارد. طراحان تراشه ها می خواهند مطمئن شوند که ورود نوع جدید حافظه بتواند برای سالیان زیادی مفید باشد نه صرفا چند سال محدود.
به منظور پایان کار، گروهی تحت سرپرستی آرون لیدنبرگ پروژه تحقیقاتی را شروع کردند تا سرعتی که تغییر فاز حافظه از یک حالت به حالت دیگر در آن اتفاق می افتد و چگونگی تحت کنترل درآوردن این سرعت را مشخص کنند. در این تحقیق مشخص شد که وقتی سلول های تغییر فاز حافظه تنها برای چند پیکو ثانیه در معرض ضربه ۰٫۵THz الکتریسیته قرار بگیرند می توانند تارهای منظمی را تشکیل دهند که به طور بالقوه برای ذخیره اطلاعات کاربرد دارند، در حالی که قسمت اعظم سلول در حالت بی شکل و نامنظم باقی می ماند.
نکته کلیدی این است که حافظه می تواند حالت ها را در مقیاس زمانی پیکو ثانیه تغییر دهد، در حالی که درام امروزی در مقیاس زمانی نانو ثانیه عمل می کند. این بدان معناست که تغییر فاز حافظه می تواند به طور بالقوه یک عملکرد خاص را هزار برابر سریع تر انجام دهد، در حالی که مزایای دیگری مثل کاهش مصرف نیرو و توانایی ذخیره دائمی اطلاعات حتی بدون نیرو را هم دارا است. محققان علاوه بر سرعت متوجه شدند که تارهای ساختار یافته به درستی قابل اندازه گیری هستند. به همین دلیل می توان حافظه را در تغییر فاز مواد ذخیره کرد. ممکن است از اندازه گیری تارها به عنوان انبار منسوخ ها استفاده شود. لیدنبرگ در ارتباط با تحقیقی که توسط استنفورد منتشر شده گفت: “این کار بنیادی اما امید بخش است. افزایش هزار برابر در سرعت به همراه کاهش مصرف انرژی راهی به سمت فناوری حافظه در آینده نشان می دهد که می تواند هر چیزی را که قبلا توصیف شده تا حد زیادی انجام دهد.”