A12 اپل با لیتوگرافی ۷ نانومتری ساخته خواهد شد

همانطور که می دانید شرکت TSMC پیشگام تولید تراشه های برتر دنیاست. این شرکت قصد دارد در سال ۲۰۱۸ تولید تراشه هایی با لیتوگرافی ۷ نانومتری را آغاز کند. از طرفی خبر رسیده که تراشه A12 اپل نیز توسط این شرکت با لیتوگرافی ۷ نانومتری ساخته خواهد شد.
تراشه های ۱۰ نانومتری نیز امسال بازار بهینه سازی را در اختیار گرفتند و از نظر مصرف باتری نیز بسیار عالی کار می کنند. از این رو تایوانی‌ها درصدد جبران این مشکلات با لیتوگرافی ۷ نانومتری خود هستند. این لیتوگرافی احتمالا در تراشه‌ی جایگزین A11 به‌ کار گرفته خواهد شد.
N7+ نیز یکی از تراشه های ۷ نانومتری تولید TSMC است که فرآیند تولید یادشده از فناوری مورد انتظار «لیتوگرافی به‌وسیله‌ی اشعه‌ی ماوراء بنفش» یا EUVL بهره خواهد برد و پیش‌بینی می‌شود که ۲۰ درصد تراکم بهتر، ۱۰ درصد سرعت بالاتر یا ۱۵ درصد مصرف انرژی کمتر با ثابت‌ نگه‌ داشتن فاکتورهای دیگر نسبت به گذشته به‌ ارمغان آورد.
اپل پیش از آنکه در تراشه‌های A9 و A10 ناچار به استفاده از فناوری ساخت ۱۶ نانومتری TSMC باشد، از زمان عرضه‌ی آیفون ۳جی‌اس با عرضه‌ی هر نسل از گوشی هوشمند خود، لیتوگرافی تراشه‌ی آن را نیز به‌روز می‌کرد؛ اما در نهایت با توجه به مواجه‌ شدن شرکت‌های تراشه‌ساز با محدودیت‌های فیزیکی و ابعاد حداقلی ترانزیستورها، باز هم فرآیند سالانه‌ی به‌روزرسانی لیتوگرافی تراشه‌های اپل متوقف شد.
ساخته شدن تراشه A12 اپل با لیتوگرافی ۷ نانومتری مصرف انرژی اپل واچ و هدفون‌هایی را که از تراشه‌های بی‌سیم سری W بهره می‌برند، کاهش  می دهد. علاوه‌ بر این، احتمالا کوالکام نیز در توسعه‌ی مودم‌های آینده‌ی خود از آن بهره خواهد برد. در حال حاضر اطلاعات چندانی در خصوص فرآیند‌های تولید W1 و W2 در دسترس نیست؛ اما احتمالا کوپرتینونشین‌ها یکی از فرآیند‌های RF-محور را برای آن انتخاب خواهند کرد.
در نهایت TSMC نسخه‌ای بازنگری‌شده از فرآیند «بسته‌بندی گنجایش خروجی یکپارچه» یا InFo را رونمایی کرد که با هدف یکپارچه‌سازی حافظه‌ی با پهنای باند بالا (HBM) در مجموعه‌ای موسوم به InFo-MS توسعه داده شده است. حافظه‌های با پهنای باند بالا در زمینه‌‌هایی مانند توسعه‌ی تراشه‌های گرافیکی که حفظ پهنای باند بالای حافظه‌ در آن‌ها اهمیت زیادی دارد، کاربرد گسترده‌ای‌ خواهد داشت.